关于晶间腐蚀的成因，普遍认为是由晶界与相邻晶粒之间的电位差造成的。以AI-Cu-Mg合金为例，在时效脱溶之后，晶界有一条无沉淀带，含Cu较少，电位较负，构成阳极相。晶粒内含Cu较高，电位较正，构成了阴极相。在腐蚀过程中，电位较负的贫Cu区将被优先腐蚀，并随着铝的溶解，晶粒中孤立的Cu也随之进人溶液，尤其是阴极相中铝的溶解使Cu直接进人溶液，生成Cu2十。由于Cu2+的氧化还原电位很正(相对于铝的电位)，所以会在铝表面的阴极区还原析出，这种析出过程称之为二次沉淀。

由于这种二次沉淀行为，使铝在腐蚀介质中又形成新的富Cu阴极相，使上一腐蚀过程重复进行。这一现象对铝的保护来说要尽力避免。但在铝合金表面纹理蚀刻中，晶间腐蚀同样是纹理的又一成因，特别是具有针状晶粒结构的材料对于丝状纹理的形成更为重要。为达到这一目的，可以在腐蚀介质中加人适量的氧化还原电位较正的金属离子或氧化性阴离子，以达到对铝合金表面丝状纹理蚀刻强化的目的。但这只能对那些具有丝状纹理腐蚀倾向的合金材料才有明显作用。也有资料介绍在有抑制剂的电解质溶液中，通过外加电场的作用对铝合金表面进行丝状纹理蚀刻。

通过有限的试验发现，对于那些不具有丝状纹理腐蚀倾向的合金材料效果并不明显，若要普遍用于批量生产，还有待于进一步研究。在蚀刻过程中，由于电位差的缘故，有可能是沿晶粒的边界先蚀刻，然后整个晶粒被蚀刻溶解。所以在晶粒尺寸较大的材料上进行纹理蚀刻更容易获得粗糙度高的纹理效果。